潔凈室靜電的危害

您當前的位置：首頁 > 新聞中心 > 技術知識

潔凈室靜電的危害

2020-09-11

次

潔凈室工程在靜電庫侖力的作用下，吸附的粉塵、污物造成元器件增大泄漏或形成短路，使性能受損，成品率和可靠性大大下降。如粉塵粒徑>100μm，鋁線寬度約100μm，氧化膜厚度在50μm時，最易使產品報廢。現在線徑更細，氧化膜很薄，粒徑很小的塵粒子就會損害元器件，這種情形多發生在腐蝕清洗、光刻、點焊和封裝等工藝過程中。半導體，平面顯示器，光電子等潔凈室，盡管做了很多工作，但潔凈室的靜電問題仍然影響著生產安全和產品產量，影響著制造成本和效益，影響產品的質量和可靠性。據國外工業專家估計，美國每年由于靜電造成產品的損失平均在8-33%，還有人估計美國每年靜電對電子工業毀損價值達100億美元；日本80年代曾對報廢的電子產品進行分析，由ESD引起的損失占1/3。我國半導體、平面液晶顯示、光電子等都起步較晚，但靜電危害也時有發生，成品率較低。而銀行、證券公司、機要數據庫、監控中心，電力調度室等等，若出現ESD就很容易引起干擾，數據遺失，情形就更嚴重了。

一般說器件絕緣柵SiO2薄膜的耐壓場強是E=（5-10）×106V/cm，如果器件SiO2膜厚度取1000，其器件輸入腳施加50V-100V以上的靜電壓就將會被擊穿，而人體帶靜電超過50V、100V是極平常的。元器件的絕緣氧化膜被擊穿，引線被燒斷或線間熔斷。若人體帶上10KV（100PF）的靜電荷，觸摸器件腳時發生ESD，其向大地瞬間形成脈沖放電電流峰值可達20A（10~100s），不要說高密度，細線徑，薄SiO2膜的Lsi、Vlsi，就是一般IC、MOS都會遭受損壞。

ESD引起EMI其電磁波的前后峰較尖，信號強，相當于電路中幾伏的能量，頻率跨越幾MH2甚幾百MH2的強大噪聲，可能引起元器件損壞，設備和傳感器不正常工作，甚至引起設備死機。ESD引起的EMI還會引發錯誤信號的輸入，或發生鎖存現象。如無塵室中，將晶圓片的EMIF箱放在鋼的手推車上，晶圓片的ESD會通過電感傳給手推車，車輪是絕緣的，則EMI的擴散會引起晶圓片處理機死機。

中效過濾網